全球電子設(shè)備市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大，支撐其的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變得越來(lái)越重要。盡管2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)經(jīng)歷了負(fù)增長(zhǎng)，但盡管過(guò)去經(jīng)歷過(guò)雷曼沖擊，但仍持續(xù)擴(kuò)張。近年來(lái)，存儲(chǔ)器的技術(shù)發(fā)展從微型化轉(zhuǎn)向3D技術(shù)，刻蝕技術(shù)的重要性日益增加。

截至2018年，半導(dǎo)體光刻設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模為10852億日元。

按消費(fèi)地區(qū)劃分，韓國(guó)以 36% 排名di一，其次是中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)（19%），第三位是中國(guó)大陸（18%），第四位是美國(guó)（14%），第五位是日本（7%）。半導(dǎo)體光刻設(shè)備廠商按國(guó)籍劃分的市場(chǎng)fen e （2018年）為歐洲（84%）、日本（14%）和美國(guó)（2%），其中歐洲和日本幾乎形成寡頭壟斷。

關(guān)于EUV曝光設(shè)備

EUV（Extreme Ultraviolet的縮寫(xiě)）曝光設(shè)備是一種使用被稱(chēng)為極紫外光的極短波長(zhǎng)光的半導(dǎo)體曝光設(shè)備?？梢约庸な褂肁rF準(zhǔn)分子激光的傳統(tǒng)曝光設(shè)備難以加工的更精細(xì)尺寸。

半導(dǎo)體小型化正在按照摩爾定律進(jìn)展（半導(dǎo)體集成電路的集成度和功能將在三年內(nèi)提高四倍）。到目前為止，通過(guò)稱(chēng)為步進(jìn)器的縮小投影曝光技術(shù)、更短的曝光波長(zhǎng)和浸沒(méi)式曝光技術(shù)的開(kāi)發(fā)，分辨率已得到顯著提高。

小型化是指晶圓上可印刷的最小加工尺寸變得更小，最小加工尺寸R由下面的瑞利方程表示。

　R=k·λ/NA *k為比例常數(shù)，λ為曝光波長(zhǎng)，NA為曝光光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑

通過(guò)各種技術(shù)的發(fā)展，通過(guò)減小k、減小λ和增大NA來(lái)實(shí)現(xiàn)小型化。

EUV曝光設(shè)備是一種可以通過(guò)縮短曝光波長(zhǎng)來(lái)突破以往限制的技術(shù)，近年來(lái)已開(kāi)始量產(chǎn)。